今天小編要和大家分享的是IGBT結構，接下來我將從結構，這幾個方面來介紹。結構下圖所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。P+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一
2021-10-12 19:00:02
PT-IGBT與NPT-IGBT的區別1、PT-IGBT圖1實際上是PT型1GBT芯片的結構圖，圖2（c）是其導電原理。所謂PT（PunchThrough，穿通型），是指電場穿透了N-漂移區（圖1中③），電子與空穴的主要匯合點在N一區［圖1（c）］。NPT在實驗室實現的時間（1982年）要早于PT（1985），但技術上的原因使得PT規模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產品以PT型為主。P
2021-02-01 11:39:38
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000個單元（50V功率MOS-FET）或者50.000單元（1200VIGBT）。于晶體管相同的技術概念，MOSFET和IGBT芯片控制區有相近的結構。如圖2和圖3所示，基板是n-型半導體，在截止狀態時n-區必須接納空間電荷區。在n-型半導體上形成一個p導通型半導體環形槽，它摻雜濃度是中心高（p+），邊緣
2021-02-01 09:16:31
SC1短路引發的振蕩和SC2有所區別。圖1給出了這兩種典型振蕩的實驗結果。如圖1a所示，在SC1短路過程中，在形成恒定短路電流后的很短時間內發生振蕩且可以在柵極電壓中觀測到明顯的電壓振蕩；然而，也可能在集-射極電壓或者集電極電流產生振蕩（圖中沒有顯示）。SC2型短路振蕩與此相似，但是振蕩卻發生在IGBT的退飽和階段。因此，這時集-射極電壓會上升。表1給出了影響IGBT短路振蕩的參數。影響振蕩產生的
2021-01-31 19:46:31
圖1給出了一個最簡單的解釋開關特性的實例，它是降壓變換器。IGBT器件T1通過雙脈沖信號兩次開通和關斷。換流的變化率di/dt導通過電阻RGon來調節的，VCC是直流母線電壓。在電容器、IGBT和二極管之間存在寄生的感應電感Ls1.。.3。在圖2中給出了在IGBT（Driver）上的雙脈沖控制信號，在IGBT上的電流波形和在二極管上的電流波形。當關斷IGBT時。在電感認上的負載電流將切換至二極管。
2021-01-31 19:45:50
激光電源在激光應用系統中是非常重要的一部分內容，其性能指標，特別是功率和穩定性指標直接影響到激光應用的質量和效果。傳統的激光電源采用可控硅作為功率開關器件，但是有很多弊端：（1）由于工頻電力網50Hz的電流經整流后進入可控硅，可控硅觸發頻率為100Hz，故由于調整頻率的限制，這種電源的工作穩定性不高。（2）這種電源的穩定性受電力網波動的影響較大。（3）可控硅的觸發電路主要是控制觸發相位角的變化，這
2021-01-31 17:45:50
通常，驅動單元要盡量靠近IGBT模塊。很多IGBT模塊有專門的區域用于安裝驅動單元，圖1給出了三個安裝示例。這種布局具有多種優點，已成為逆變器的最佳裝配選擇。其優點如下：明確機械分布和寄生影響，逆變器中每個IGBT/驅動連接完全一樣，這樣器件的開關特性也相同；柵極引線最短，減少了寄生參數的影響，這樣柵極引線的阻抗不僅小而且可以明確其大??；保護柵極通過密勒電容充電的電路（例如柵極鉗位）緊靠柵極，所以
2021-01-31 17:16:14
2020年7月9日，德國慕尼黑訊】耐用性決定了模塊在惡劣環境下的使用壽命和可靠性。特別是當暴露于硫化氫（H2S）中時，電子元件的壽命會受到很大的影響。為了應對這一威脅，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）開發出了一項獨特的保護功能。采用TRENCHSTOP™ IGBT4芯片組的EconoPACK™+模塊是Econo系列中率先具備這一全新保護特
2021-01-30 18:09:38
分立元件構成的IGBT驅動電路
2020-09-16 15:06:04
IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護電路IGBT的柵極過壓的原因1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。2.電容密勒效應引起的柵極過壓。為防止IGBT的柵極-發射極過壓情況發生，應在IGBT的柵極與發射極之間并接一只幾十千歐的電阻，如上圖所示。此電阻應盡量靠近柵極與發射極。
2020-09-16 15:05:58
IGBT在CO2氣體保護焊電源中的電路原理圖IGBT在CO2氣體保護焊電源中的應用電路圖如圖所示
2020-09-16 15:05:52
IGBT(NPT型結構)的寄生組件和等效電路
2020-09-16 15:05:39
IGBT開關等效電路和開通波形電路
2020-09-16 15:05:31
硬開關斬波電路中的IGBT的關斷電壓波形電路
2020-09-16 15:05:25
具有寄生晶體管的IGBT等效電路
2020-09-16 15:05:19
IGBT和續流二極管的功率模塊單元電路(a)所示為單開關模塊; (b)所示為兩單元(半橋)模塊; (c)所示為H橋(單相橋)模塊; (d)所示為不對稱H橋模塊; (e)所示為三相橋(六單元或逆變橋)模塊; (f)所示為斬波模塊; (g)所示為斬波模塊; (h)所示為三相橋GD加斬波GAL(制動斬波電路)模塊; (i)所示為三單元模 塊，由3組開關組成; (j)所示為單開關加集電極端串聯二極管(反向
2020-09-16 15:05:13
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
2020-09-16 15:05:07
D型IPM的結構及IGBT的等效電路
2020-09-16 15:04:49
N溝道IGBT的簡化等效電路和電氣圖形符號電路
2020-09-16 15:04:36
兩個反向阻斷型IGBT反向并聯時的電路和關斷波形電路
2020-09-16 15:04:30
IGBT的VCR(壓控電阻)等效電路模型電路
2020-09-16 15:04:24
M57962L驅動大功率IGBT模塊時的應用電路
2020-09-16 15:04:06
GA系列IGBT半橋、高端開關和低端開關型模塊的內部接線電路
GA系列IGBT半橋、高端開關和低端開關型模塊的內部接線電路
2020-09-16 15:02:51
IGD系列IGBT驅動器內部框電路
2020-09-16 15:01:34
H橋IGBT功率單元本文中的實驗裝置是一臺單相 H 橋IGBT 功率單元，其拓撲結構如圖1 所示。其中，電容C1、C2 各由四個6800 μF 電解電容并聯組成，開關器件為三菱公司的半橋IGBT 模塊CM300DY－24A。實驗裝置中直流母線的機械結構如圖2 所示，圖中的A～F 與圖1 相應標注表示同一位置。其中，A 接直流電容正極，與之相連的母線稱為正母線（為便于測量母線電流，分成正母線1 和正
2020-09-15 20:10:26
集成電路TLP250構成的IGBT驅動器及電路IGBT模塊驅動及保護技術
2020-09-15 15:06:07
充放電型IGBT緩沖吸收電路為了使IGBT關斷時的過電壓能得能更有效的抑制并減小IGBT的關斷損耗，通常都需給IGBT主電路設置關斷緩沖吸收電路。
2020-09-15 15:05:55
下為DA962Dx系列原理圖，參考下圖可設計出最大可驅動300A/1700V的IGBT驅動板，落木源電子所生產的IGBT驅動板是在此基礎上增加了更多保護、指示等附加功能。 下圖為DA102Dx系列原理圖，參考下圖可設計出最大可驅動2400A/1700V的IGBT驅動板，落木源電子所生產的IGBT驅動板是在此基礎上增加了更多保護、指示等附加功能。
2020-09-13 15:13:35
IGBT實在BDMOS型功率場效應管的基礎上發展起來的。在VDMOS結構的漏極側N+層下，增加一個P+層發射極而行程pn，如圖1-31所示，就構成IGBT。欲了解更多信息請登錄電子發燒友網(http://www.elecfans.com)
2020-09-11 20:09:55
IGBT的靜態特性包括伏安特性、轉移特性和靜態開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制參數是柵源電壓，而不是基極電流。欲了解更多信息請登錄電子發燒友網(http://www.elecfans.com)
2020-09-11 20:09:48